韩媒The Bell报导，三星电子已重启1.4纳米芯片制程开发，目标2029年量产。此前该项目曾短暂中止。由于2纳米制程进展顺利，三星已向应用材料、科林研发等关键设备合作伙伴提供1.4纳米路线图，并要求其开始深度开发所需工具。知情人士透露，三星已在NRD-K工厂安装ASML高数值孔径极紫外光微影设备，将用于1.4纳米及后续制程。

战略转向：从激进推进转求良率稳定

三星将原定2027年量产1.4纳米的目标延至2029年，因公司重心转向强化2纳米和第二代2纳米制程——从激进推动先进制程转为追求良率稳定与制程最佳化。据悉三星下一代旗舰手机处理器Exynos 2800将改用强化版2纳米芯片，而非原先规划的1.4纳米。

台积电与英特尔各自推进

台积电目标最快2027年第三季试产1.4纳米制程，2028年下半年量产，且2029年底前不会部署ASML高数值孔径EUV曝光机。英特尔方面，据路透报导其18A-P已进入试产，目标2018年风险生产14A制程，2029年量产。