据科技媒体Wccftech及韩媒Korea Economic Daily报导，中国存储芯片企业长鑫存储已开始秘密研发下一代“键合DRAM”，该技术被视为可能颠覆业界的新型存储产品，且只需使用深紫外光（DUV）微影设备即可生产，无需用到在中国遭禁的极紫外光（EUV）设备。

晶圆对晶圆混合键合取代传统微凸块

长鑫存储以“晶圆对晶圆混合键合”取代传统的微凸块连接方式，将两片晶圆精确对齐并熔合。该技术拆分记忆体阵列与周边控制逻辑电路，分置于不同晶圆上，可用不同制程生产以确保最佳效果。这两项突破可去除占用空间的传统微凸块，避免提高延迟性或增加寄生电阻。高密度DRAM通过缩短导线长度降低功耗、加快传输速度，且无需放大晶圆尺寸即可释放晶圆上空间安装其他组件。

加速高频宽记忆体开发 良率与稳定性可望提升

据了解，长鑫存储正加速高频宽记忆体开发，已将20%产线转为专门生产HBM，押注HBM3和HBM3E研发。分析师指出，中国HBM技术原本落后南韩五年，如今已缩短至约三年。首尔大学电子资工教授崔宇英表示，若华为等中国AI芯片商在本土市场优先采用该技术并取得实际经验，良率和稳定性可能比预期更快出现进展。